共聚焦拉曼光譜儀3大優(yōu)勢：

　　1、*的靈活性：

　　共聚焦拉曼光譜儀另一個*的優(yōu)勢就是可在系統(tǒng)中配備一個附加出口。用雙出口選項，可多配備一個紅外InGaAs陣列，ICCD，PMT或其它專業(yè)單道探測器。實際上，該系統(tǒng)有很寬的激光光源適應(yīng)能力和多探測器選項，能提供很寬的光譜范圍或進行時域分析。

　　近紅外探測器對于在830納米或1064納米激發(fā)下的發(fā)光測量（例如對于半導體材料）和拉曼分析等特別有用。這兩種應(yīng)用下的光譜都在標準硅器件CCD探測器的測量范圍之外，例如，一些重要的III－V族半導體材料的重要信息在1100納米和1300納米區(qū)域，不在硅器件的敏感探測區(qū)。用其它的探測器（如InGaAs或Ge探測器），就很容易實現(xiàn)這個區(qū)域的測量.

　　2、高分辨：

　　共聚焦拉曼光譜儀具有800毫米的光譜儀焦長，其所能達到的分辨率約為標準300毫米焦長拉曼譜儀的3倍，比250毫米焦長的老式設(shè)計拉曼譜儀更高。從下圖可以清楚地看到，用高分辨率系統(tǒng)采集的譜圖有更多的數(shù)據(jù)點，在進行微小的拉曼峰移分析時，比短焦長系統(tǒng)準確的多。同時用HR系統(tǒng)能更準確地給出拉曼譜峰的峰形這一重要的參數(shù)，峰位和峰形都能表征重要的樣品變化。

　　3、應(yīng)力引起的拉曼位移：

　　共聚焦拉曼光譜儀是一種理想的應(yīng)用測量工具。左圖中固體相硅應(yīng)力拉曼分析表明可識別出0.3cm-1的拉曼峰移。半導體器件中的新型SOI和SiGe薄膜具有類似的小峰位和峰形改變，非常適合用共聚焦拉曼光譜儀進行測量。